TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (BJT)

Del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT. Es un dispositivoelectrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales.

SÍMBOLO:

   a) Transistor PNP
   b) Transistor NPN

CARACTERÍSTICAS:

La mayoría de los proyectos especificarán un transistor particular, pero si fuera necesario se puede sustituirlo por un transistor equivalente dentro de un amplio rango disponible. Las más importantes propiedades a tener en cuenta son la máxima corriente de colector IC y la ganancia de corriente hFE.

 FUNCIONES: 

El tipo o función del transistor que vamos a destacar (por el momento) será como amplificador, hay que aclarar que es eso de amplificar en electrónica, por lo cual lo definiremos. Podríamos decir que amplificar es incrementar una magnitud, y que amplificación es, por lo tanto, el proceso de incrementar la intensidad de una señal. Un amplificador es un dispositivo en el que una débil corriente producida por una fuente provoca una fuerte corriente en otra fuente.

APLICACIONES: 

Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:

-Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación)
-Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de radiofrecuencia)
-Conmutación, actuando de interruptores (control de relés, fuentes de alimentación conmutadas, control de lámparas, modulación por anchura de impulsos PWM)
-Detección de radiación luminosa (fototransistores) 

CONSTRUCCIÓN INTERNA:

La base está físicamente localizada entre el emisor y el colector y está compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad.El colector rodea la región del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la región de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de α se acerque mucho hacia la unidad, y por eso,otorgarle al transistor una gran β.